Концерн Samsung Electronics вкладе сім мільярдів доларів у будівництво заводу в Сіані (КНР, Шаньсі) з виробництва чіпів флеш-пам'яті NAND.

Про це заявив прес-секретар південнокорейської компанії Кен Но, передає "Лєнта.ру" з посиланням на The Korea Times.

За його словами, рада директорів компанії вже схвалила виділення перших 2,3 мільярда доларів на цей проект.

Неназване джерело розповіло газеті, що керівництво розглядало також Пекін як місце будівництва, проте вибір був зроблений на користь Сіаня у зв'язку з фінансовою та адміністративною підтримкою з боку регіональної влади.

У концерні ще в грудні минулого року повідомляли, що мають намір будувати завод в КНР, оскільки ця країна є найбільш швидкозростаючим ринком для продажу чіпів флеш-пам'яті.

В даний час у Samsung є тільки один завод з виробництва пристроїв флеш-пам'яті за межами Південної Кореї - в Остіні (США, Техас).

Це підприємство, де виробляються також процесори для мобільних пристроїв, постачає, зокрема, комплектуючі для iPad.

В цьому році Apple збільшила замовлення у Samsung до 11 мільярдів доларів, тоді як в 2011 році південнокорейський виробник поставив американській компанії продукції на 7,8 мільярда доларів.

Bloomberg відзначає, що Samsung збільшує виробництво пристроїв флеш-пам'яті на тлі прогнозованого зростання попиту на цю продукцію на 49% у 2010-2015 роках.

Конкуренти корейської компанії, що виробляють чіпи флеш-пам'яті DRAM, зазнають збитків після рекордного спаду цін на пристрої цього типу.

У вересні минулого року Samsung відкрив завод в Південній Кореї, на будівництво якого було витрачено 10,6 мільярда доларів.

Підприємство є найбільшим заводом з виробництва чіпів флеш-пам'яті, причому на ньому виробляються пристрої як типу NAND, так і DRAM.